BD232G Todos los transistores

 

BD232G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD232G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD232G Datasheet (PDF)

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BD232G

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BD232G

isc Silicon NPN Power Transistor BD232DESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power output stages and line driverin TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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History: RT656M | 2SC3714 | 2SD1513 | 40469 | BC479CSM | 3DD4020A6D | CDT1313

 

 
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