BD232G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD232G

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO202

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BD232G datasheet

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BD232G

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BD232G

isc Silicon NPN Power Transistor BD232 DESCRIPTION Good Linearity of h FE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 300V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power output stages and line driver in TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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