BD232G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD232G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD232G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD232G даташит

 9.1. Size:89K  semelab
 bd232.pdf pdf_icon

BD232G

 9.2. Size:205K  inchange semiconductor
 bd232.pdf pdf_icon

BD232G

isc Silicon NPN Power Transistor BD232 DESCRIPTION Good Linearity of h FE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 300V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power output stages and line driver in TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы: BD230-10, BD230-16, BD230-6, BD231, BD231-10, BD231-16, BD231-6, BD232, BC549, BD233, BD233-10, BD233-16, BD233-6, BD233G, BD234, BD234-10, BD234-16