BD263B Todos los transistores

 

BD263B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD263B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD263B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
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BD263B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD263DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = 60V(BR)CEODC Current Gain: h = 750(Min) @ I = 1.5 AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in complementarygeneral-purpose amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM

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