BD263B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD263B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD263B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD263B даташит

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bd263.pdf pdf_icon

BD263B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD263 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = 60V (BR)CEO DC Current Gain h = 750(Min) @ I = 1.5 A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as output devices in complementary general-purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM

Другие транзисторы: BD261, BD262, BD262A, BD262B, BD262C, BD262L, BD263, BD263A, 2N2222, BD263C, BD263L, BD264, BD264A, BD264B, BD264L, BD265, BD265A