BD263C Todos los transistores

 

BD263C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD263C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO126

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BD263C datasheet

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BD263C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD263 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = 60V (BR)CEO DC Current Gain h = 750(Min) @ I = 1.5 A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as output devices in complementary general-purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM

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