Справочник транзисторов. BD263C

 

Биполярный транзистор BD263C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BD263C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Корпус транзистора: TO126

Аналоги (замена) для BD263C

 

 

BD263C Datasheet (PDF)

5.1. bd263.pdf Size:207K _inchange_semiconductor

BD263C
BD263C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD263 DESCRIPTION ·Collector–Emitter Breakdown Voltage— : V = 60V (BR)CEO ·DC Current Gain— : h = 750(Min) @ I = 1.5 A FE C ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use as output devices in complementary general-purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top