BD286 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD286

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO126

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BD286 datasheet

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BD286

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD286 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -45V(Min) CEO(SUS) Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -0.6V(Max)@ I = -2A CE(sat C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power linear and switchi

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