BD286 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD286

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD286

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD286 даташит

 ..1. Size:183K  inchange semiconductor
 bd286.pdf pdf_icon

BD286

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD286 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -45V(Min) CEO(SUS) Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -0.6V(Max)@ I = -2A CE(sat C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power linear and switchi

Другие транзисторы: BD278A, BD279, BD280, BD281, BD282, BD283, BD284, BD285, 2SA1837, BD287, BD288, BD291, BD292, BD293, BD294, BD295, BD296