BD303B Todos los transistores

 

BD303B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD303B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 55 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD303B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:209K  inchange semiconductor
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BD303B

isc Silicon NPN Power Transistor BD303DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 30(Min.)@ I = 2AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD304Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages up to 25W, verticaldeflection circuits in color TV receivers.

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History: 2SC2344E | KT818B | 2N5422 | BD828-10

 

 
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