BD303B - описание и поиск аналогов

 

BD303B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD303B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD303B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD303B даташит

 9.1. Size:209K  inchange semiconductor
 bd303.pdf pdf_icon

BD303B

isc Silicon NPN Power Transistor BD303 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 30(Min.)@ I = 2A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Complement to Type BD304 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages up to 25W, vertical deflection circuits in color TV receivers.

Другие транзисторы: BD301, BD301A, BD301B, BD302, BD302A, BD302B, BD303, BD303A, A1013, BD304, BD304A, BD304B, BD306, BD306A, BD306B, BD307, BD307A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.