BD311 Todos los transistores

 

BD311 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD311
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3

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BD311 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
bd311.pdf

BD311
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isc Silicon NPN Power Transistor BD311DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-h = 25(Min.)@I = 5AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 5ACE(sat CComplement to Type BD312Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high quality amplifiers operating up to 60 w

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N2594 | 2SB1402

 

 
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