BD311 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD311
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de BD311
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BD311 datasheet
bd311.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD311 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h = 25(Min.)@I = 5A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Complement to Type BD312 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high quality amplifiers operating up to 60 w
Otros transistores... BD304A , BD304B , BD306 , BD306A , BD306B , BD307 , BD307A , BD307B , NJW0281G , BD312 , BD312A-16 , BD313 , BD314 , BD315 , BD316 , BD317 , BD318 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125