BD311 - описание и поиск аналогов

 

BD311. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD311

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD311

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD311 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bd311.pdf pdf_icon

BD311

isc Silicon NPN Power Transistor BD311 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h = 25(Min.)@I = 5A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Complement to Type BD312 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high quality amplifiers operating up to 60 w

Другие транзисторы: BD304A, BD304B, BD306, BD306A, BD306B, BD307, BD307A, BD307B, NJW0281G, BD312, BD312A-16, BD313, BD314, BD315, BD316, BD317, BD318

 

 

 

 

↑ Back to Top
.