BD312 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD312
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO3
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BD312 Datasheet (PDF)
bd312.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BD312DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-h = 25(Min.)@I = -5AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -1.0 V(Max)@ I = -5ACE(sat CComplement to Type BD311Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high quality amplifiers operating up to 6
Otros transistores... BD304B , BD306 , BD306A , BD306B , BD307 , BD307A , BD307B , BD311 , NJW0281G , BD312A-16 , BD313 , BD314 , BD315 , BD316 , BD317 , BD318 , BD320 .
History: 40408 | 2SC1729 | ASY54N | 40314S | BUW12AF | UMC5NT1G | U2T451
History: 40408 | 2SC1729 | ASY54N | 40314S | BUW12AF | UMC5NT1G | U2T451



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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