BD312 - описание и поиск аналогов

 

BD312. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD312

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD312

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD312 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 bd312.pdf pdf_icon

BD312

isc Silicon PNP Power Transistor BD312 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h = 25(Min.)@I = -5A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -1.0 V(Max)@ I = -5A CE(sat C Complement to Type BD311 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high quality amplifiers operating up to 6

Другие транзисторы: BD304B, BD306, BD306A, BD306B, BD307, BD307A, BD307B, BD311, D965, BD312A-16, BD313, BD314, BD315, BD316, BD317, BD318, BD320

 

 

 

 

↑ Back to Top
.