BD312A-16 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BD312A-16
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 2.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO237

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD312A-16

BD312A-16 Datasheet (PDF)

9.1. Size:208K inchange semiconductor
bd312.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BD312DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-h = 25(Min.)@I = -5AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -1.0 V(Max)@ I = -5ACE(sat CComplement to Type BD311Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high quality amplifiers operating up to 6

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: NA22FJ | 2N2070 | BCW90KC

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050