BD312A-16 - описание и поиск аналогов

 

BD312A-16. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD312A-16

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO237

 Аналоги (замена) для BD312A-16

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD312A-16 даташит

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 bd312.pdf pdf_icon

BD312A-16

isc Silicon PNP Power Transistor BD312 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h = 25(Min.)@I = -5A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -1.0 V(Max)@ I = -5A CE(sat C Complement to Type BD311 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high quality amplifiers operating up to 6

Другие транзисторы: BD306, BD306A, BD306B, BD307, BD307A, BD307B, BD311, BD312, 2SD669A, BD313, BD314, BD315, BD316, BD317, BD318, BD320, BD320A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.