BD313 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD313
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO3
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BD313 datasheet
bd313.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD313 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h = 25(Min.)@I = 4A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Complement to Type BD314 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high quality amplifiers operating up to 60 w
Otros transistores... BD306A , BD306B , BD307 , BD307A , BD307B , BD311 , BD312 , BD312A-16 , TIP2955 , BD314 , BD315 , BD316 , BD317 , BD318 , BD320 , BD320A , BD320B .
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Liste
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