BD313 - описание и поиск аналогов

 

BD313. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD313

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD313

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD313 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bd313.pdf pdf_icon

BD313

isc Silicon NPN Power Transistor BD313 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h = 25(Min.)@I = 4A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Complement to Type BD314 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high quality amplifiers operating up to 60 w

Другие транзисторы: BD306A, BD306B, BD307, BD307A, BD307B, BD311, BD312, BD312A-16, TIP2955, BD314, BD315, BD316, BD317, BD318, BD320, BD320A, BD320B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.