BD315 Todos los transistores

 

BD315 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD315
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD315 Datasheet (PDF)

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BD315

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BD315

isc Silicon NPN Power Transistor BD315DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-h = 25(Min.)@I = 8AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 8ACE(sat CComplement to Type BD316Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high quality amplifiers operating up to 100

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