BD315 - описание и поиск аналогов

 

BD315. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD315

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD315

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD315 даташит

 ..1. Size:109K  motorola
 bd315 bd316 bd317 bd318.pdf pdf_icon

BD315

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
 bd315.pdf pdf_icon

BD315

isc Silicon NPN Power Transistor BD315 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h = 25(Min.)@I = 8A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 8A CE(sat C Complement to Type BD316 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high quality amplifiers operating up to 100

Другие транзисторы: BD307, BD307A, BD307B, BD311, BD312, BD312A-16, BD313, BD314, 2SC2240, BD316, BD317, BD318, BD320, BD320A, BD320B, BD320C, BD321

 

 

 

 

↑ Back to Top
.