BD329 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD329
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 70 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 85
Encapsulados: TO126
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BD329 datasheet
bd329.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D100 BD329 NPN power transistor 1997 Mar 07 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN power transistor BD329 FEATURES PINNING High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V). 1 emitter 2 collector, c
bd329.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD329 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 85 375(Min)@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = 20V(Min) CEO(SUS) Complement to type BD330 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Especially for battery equipped applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB
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