BD329 Todos los transistores

 

BD329 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD329
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD329 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  philips
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BD329

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BD329NPN power transistor1997 Mar 07Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistor BD329FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V).1 emitter2 collector, c

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
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BD329

isc Silicon NPN Power Transistor BD329DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 85~375(Min)@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = 20V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD330Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEspecially for battery equipped applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

Otros transistores... BD322A , BD322B , BD322C , BD323 , BD323A , BD323B , BD323C , BD328 , BD777 , BD330 , BD331 , BD332 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 .

History: 2SC2058S

 

 
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