BD329 - описание и поиск аналогов

 

BD329. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD329

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD329

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD329 даташит

 ..1. Size:52K  philips
 bd329.pdf pdf_icon

BD329

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D100 BD329 NPN power transistor 1997 Mar 07 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN power transistor BD329 FEATURES PINNING High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V). 1 emitter 2 collector, c

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 bd329.pdf pdf_icon

BD329

isc Silicon NPN Power Transistor BD329 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 85 375(Min)@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = 20V(Min) CEO(SUS) Complement to type BD330 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Especially for battery equipped applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

Другие транзисторы... BD322A , BD322B , BD322C , BD323 , BD323A , BD323B , BD323C , BD328 , BD333 , BD330 , BD331 , BD332 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.