Справочник транзисторов. BD329

 

Биполярный транзистор BD329 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD329
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для BD329

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD329 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  philips
 bd329.pdf pdf_icon

BD329

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BD329NPN power transistor1997 Mar 07Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistor BD329FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V).1 emitter2 collector, c

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 bd329.pdf pdf_icon

BD329

isc Silicon NPN Power Transistor BD329DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 85~375(Min)@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = 20V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD330Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEspecially for battery equipped applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

Другие транзисторы... BD322A , BD322B , BD322C , BD323 , BD323A , BD323B , BD323C , BD328 , BD777 , BD330 , BD331 , BD332 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 .

 

 
Back to Top

 


 
.