Биполярный транзистор BD329 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD329
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO126
BD329 Datasheet (PDF)
bd329.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BD329NPN power transistor1997 Mar 07Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistor BD329FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V).1 emitter2 collector, c
bd329.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD329DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 85~375(Min)@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = 20V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD330Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEspecially for battery equipped applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050