BD330 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD330
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 70 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 85
Encapsulados: TO126
Búsqueda de reemplazo de BD330
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BD330 datasheet
bd330.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D100 BD330 PNP power transistor 1999 Apr 26 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 22 Philips Semiconductors Product specification PNP power transistor BD330 FEATURES PINNING High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mount
bd330.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD330 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 85 375(Min)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -20V(Min) CEO(SUS) Complement to type BD329 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Especially for battery equipped applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY
Otros transistores... BD322B , BD322C , BD323 , BD323A , BD323B , BD323C , BD328 , BD329 , BDT88 , BD331 , BD332 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 , BD338 .
History: BD329
History: BD329
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet