BD330 Todos los transistores

 

BD330 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD330
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD330 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  philips
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BD330

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BD330PNP power transistor1999 Apr 26Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationPNP power transistor BD330FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V).1 emitter2 collector, connected to metal part ofAPPLICATIONS mount

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
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BD330

isc Silicon PNP Power Transistor BD330DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 85~375(Min)@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -20V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD329Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEspecially for battery equipped applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

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