BD330 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD330
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD330
BD330 Datasheet (PDF)
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BD330PNP power transistor1999 Apr 26Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationPNP power transistor BD330FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V).1 emitter2 collector, connected to metal part ofAPPLICATIONS mount
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isc Silicon PNP Power Transistor BD330DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 85~375(Min)@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -20V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD329Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEspecially for battery equipped applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BC859CLT1 | BC859B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050