BD330 - описание и поиск аналогов

 

BD330. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD330

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD330

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD330 даташит

 ..1. Size:49K  philips
 bd330.pdf pdf_icon

BD330

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D100 BD330 PNP power transistor 1999 Apr 26 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 22 Philips Semiconductors Product specification PNP power transistor BD330 FEATURES PINNING High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mount

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
 bd330.pdf pdf_icon

BD330

isc Silicon PNP Power Transistor BD330 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 85 375(Min)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -20V(Min) CEO(SUS) Complement to type BD329 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Especially for battery equipped applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

Другие транзисторы... BD322B , BD322C , BD323 , BD323A , BD323B , BD323C , BD328 , BD329 , BDT88 , BD331 , BD332 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 , BD338 .

History: BD329

 

 

 


 
↑ Back to Top
.