BD332 Todos los transistores

 

BD332 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD332

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO126

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BD332 datasheet

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
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BD332

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD332 DESCRIPTION High DC Current Gain Complement to type BD331 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PNP epitaxial base transistors in monolithic Darlington circuit for audio output stages and general amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Otros transistores... BD323 , BD323A , BD323B , BD323C , BD328 , BD329 , BD330 , BD331 , BC547 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 , BD338 , BD342 , BD343 .

 

 

 


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