BD332 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD332
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO126
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BD332 datasheet
bd332.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD332 DESCRIPTION High DC Current Gain Complement to type BD331 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PNP epitaxial base transistors in monolithic Darlington circuit for audio output stages and general amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... BD323 , BD323A , BD323B , BD323C , BD328 , BD329 , BD330 , BD331 , BC547 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 , BD338 , BD342 , BD343 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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