BD332 Todos los transistores

 

BD332 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD332
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD332 Datasheet (PDF)

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BD332

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BD332

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD332DESCRIPTIONHigh DC Current GainComplement to type BD331Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPNP epitaxial base transistors in monolithic Darlingtoncircuit for audio output stages and general amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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