Справочник транзисторов. BD332

 

Биполярный транзистор BD332 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD332
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для BD332

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD332 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  st
 bd331 bd332 bd333 bd334 bd335 bd336.pdf pdf_icon

BD332

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
 bd332.pdf pdf_icon

BD332

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD332DESCRIPTIONHigh DC Current GainComplement to type BD331Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPNP epitaxial base transistors in monolithic Darlingtoncircuit for audio output stages and general amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы... BD323 , BD323A , BD323B , BD323C , BD328 , BD329 , BD330 , BD331 , TIP41C , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 , BD338 , BD342 , BD343 .

History: BD331

 

 
Back to Top

 


 
.