BD332 - описание и поиск аналогов

 

BD332. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD332

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD332

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD332 даташит

 ..1. Size:321K  st
 bd331 bd332 bd333 bd334 bd335 bd336.pdf pdf_icon

BD332

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
 bd332.pdf pdf_icon

BD332

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD332 DESCRIPTION High DC Current Gain Complement to type BD331 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PNP epitaxial base transistors in monolithic Darlington circuit for audio output stages and general amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы... BD323 , BD323A , BD323B , BD323C , BD328 , BD329 , BD330 , BD331 , BC547 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 , BD338 , BD342 , BD343 .

History: BD329

 

 

 


 
↑ Back to Top
.