BD350B Todos los transistores

 

BD350B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD350B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 160 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 600 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD350B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:182K  inchange semiconductor
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BD350B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistors BD350DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.)@ I = -15ACE(sat) CWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power amplifier and switching circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

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History: 2SB101 | 2SB1000 | 2SB116

 

 
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