BD350B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD350B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 160 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 600 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO3
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BD350B datasheet
bd350.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors BD350 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.)@ I = -15A CE(sat) C Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power amplifier and switching circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P
Otros transistores... BD344 , BD345 , BD346 , BD347 , BD348 , BD349 , BD350 , BD350A , TIP122 , BD351 , BD351A , BD351B , BD354 , BD354A , BD354B , BD354C , BD355 .
History: BD322A
History: BD322A
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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