BD350B - описание и поиск аналогов

 

BD350B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD350B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD350B

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD350B даташит

 9.1. Size:182K  inchange semiconductor
 bd350.pdf pdf_icon

BD350B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors BD350 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.)@ I = -15A CE(sat) C Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power amplifier and switching circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

Другие транзисторы... BD344 , BD345 , BD346 , BD347 , BD348 , BD349 , BD350 , BD350A , TIP122 , BD351 , BD351A , BD351B , BD354 , BD354A , BD354B , BD354C , BD355 .

History: BD321C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.