BD354B Todos los transistores

 

BD354B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD354B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO66
 
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BD354B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:132K  tesla
 kd135 kd136 kd137 kd138 kd139 kd140 bc211 bc313 bd354 bd355 kd333 kd334 kd335 kd336 kd337 kd338.pdf pdf_icon

BD354B

 9.2. Size:199K  inchange semiconductor
 bd354.pdf pdf_icon

BD354B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD354DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0V(Max)@ I = 2ACE(sat CExcellent Safe Operating AreaComplement to Type BD355Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for

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