BD354B Todos los transistores

 

BD354B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD354B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO66

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BD354B datasheet

 9.1. Size:132K  tesla
 kd135 kd136 kd137 kd138 kd139 kd140 bc211 bc313 bd354 bd355 kd333 kd334 kd335 kd336 kd337 kd338.pdf pdf_icon

BD354B

 9.2. Size:199K  inchange semiconductor
 bd354.pdf pdf_icon

BD354B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD354 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 2A CE(sat C Excellent Safe Operating Area Complement to Type BD355 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for

Otros transistores... BD350 , BD350A , BD350B , BD351 , BD351A , BD351B , BD354 , BD354A , BC557 , BD354C , BD355 , BD355A , BD355B , BD355C , BD356 , BD357 , BD358 .

History: MA4404A | BD351B | 2SC1338

 

 

 

 

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