BD354B - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BD354B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD354B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO66
 

 Аналоги (замена) для BD354B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD354B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:132K  tesla
 kd135 kd136 kd137 kd138 kd139 kd140 bc211 bc313 bd354 bd355 kd333 kd334 kd335 kd336 kd337 kd338.pdf pdf_icon

BD354B

 9.2. Size:199K  inchange semiconductor
 bd354.pdf pdf_icon

BD354B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD354DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0V(Max)@ I = 2ACE(sat CExcellent Safe Operating AreaComplement to Type BD355Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for

Другие транзисторы... BD350 , BD350A , BD350B , BD351 , BD351A , BD351B , BD354 , BD354A , TIP122 , BD354C , BD355 , BD355A , BD355B , BD355C , BD356 , BD357 , BD358 .

History: RN2424 | D42C2 | D42C1

 

 
Back to Top

 


 
.