Справочник транзисторов. BD354B

 

Биполярный транзистор BD354B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD354B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO66
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD354B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:132K  tesla
 kd135 kd136 kd137 kd138 kd139 kd140 bc211 bc313 bd354 bd355 kd333 kd334 kd335 kd336 kd337 kd338.pdf pdf_icon

BD354B

 9.2. Size:199K  inchange semiconductor
 bd354.pdf pdf_icon

BD354B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD354DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0V(Max)@ I = 2ACE(sat CExcellent Safe Operating AreaComplement to Type BD355Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BDX83C | BSS56 | 2SB1204

 

 
Back to Top

 


 
.