BD369 Todos los transistores

 

BD369 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD369
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD369 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
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BD369

isc Silicon PNP Power Transistors BD369DESCRIPTIONLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )=-1.0V(Max)@ I =-10ACE(sat CDC Current Gain-: h = 20(Min)@I =-10AFE CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose power amplifier and switchingapplications.A

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