BD369 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD369
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de BD369
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BD369 datasheet
bd369.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors BD369 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )=-1.0V(Max)@ I =-10A CE(sat C DC Current Gain- h = 20(Min)@I =-10A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose power amplifier and switching applications. A
Otros transistores... BD363 , BD363A , BD363B , BD364 , BD365 , BD366 , BD367 , BD368 , BC546 , BD370 , BD370-10 , BD370-16 , BD370-6 , BD370A , BD370A-10 , BD370A-16 , BD370A-25 .
History: 2SC4746A | MH0813 | ECG480 | MH0812 | MJ10051 | 2N5108 | MP38A
History: 2SC4746A | MH0813 | ECG480 | MH0812 | MJ10051 | 2N5108 | MP38A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047