BD369 - описание и поиск аналогов

 

BD369. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD369

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD369

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD369 даташит

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 bd369.pdf pdf_icon

BD369

isc Silicon PNP Power Transistors BD369 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )=-1.0V(Max)@ I =-10A CE(sat C DC Current Gain- h = 20(Min)@I =-10A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose power amplifier and switching applications. A

Другие транзисторы: BD363, BD363A, BD363B, BD364, BD365, BD366, BD367, BD368, BC546, BD370, BD370-10, BD370-16, BD370-6, BD370A, BD370A-10, BD370A-16, BD370A-25

 

 

 

 

↑ Back to Top
.