BD375-10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD375-10  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 63

Encapsulados: TO126

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BD375-10 datasheet

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BD375-10

BD375/377/379 Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD376, BD378 and BD380 respectively TO-126 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD375 50 V BD377 75 V BD379 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage BD375

 9.2. Size:251K  shantou-huashan
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BD375-10

 9.3. Size:157K  inchange semiconductor
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BD375-10

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD375/377/379 DESCRIPTION DC Current Gain- hFE= 20(Min)@ IC= 1A Complement to Type BD376/378/380 APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD375 50 VCBO Collector-Base Voltage BD377 75 V

Otros transistores... BD373C-10, BD373C-16, BD373C-6, BD373D, BD373D-10, BD373D-16, BD373D-6, BD375, S8050, BD375-16, BD375-25, BD375-6, BD376, BD376-10, BD376-16, BD376-25, BD376-6