BD375-10 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BD375-10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD375-10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD375-10

 

BD375-10 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:42K  fairchild semi
 bd375 bd377 bd379.pdf pdf_icon

BD375-10

BD375/377/379 Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD376, BD378 and BD380 respectively TO-126 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD375 50 V BD377 75 V BD379 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage BD375

 9.2. Size:251K  shantou-huashan
 hsbd375.pdf pdf_icon

BD375-10

 9.3. Size:157K  inchange semiconductor
 bd375 bd377 bd379.pdf pdf_icon

BD375-10

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD375/377/379 DESCRIPTION DC Current Gain- hFE= 20(Min)@ IC= 1A Complement to Type BD376/378/380 APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD375 50 VCBO Collector-Base Voltage BD377 75 V

Другие транзисторы... BD373C-10 , BD373C-16 , BD373C-6 , BD373D , BD373D-10 , BD373D-16 , BD373D-6 , BD375 , S8050 , BD375-16 , BD375-25 , BD375-6 , BD376 , BD376-10 , BD376-16 , BD376-25 , BD376-6 .

History: 2SC3526

 

 
Back to Top

 


 
.