BD410 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD410  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 325 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO126

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BD410 datasheet

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BD410

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR BD410 TO-126 Plastic Package E C B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 500 V Collector -Emitter Voltage VCEO 325 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Continuous Collector Current IC 1.0 A Peak Collector Curr

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