BD410 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD410  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 325 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD410

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD410 даташит

 ..1. Size:167K  cdil
 bd410.pdf pdf_icon

BD410

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR BD410 TO-126 Plastic Package E C B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 500 V Collector -Emitter Voltage VCEO 325 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Continuous Collector Current IC 1.0 A Peak Collector Curr

Другие транзисторы: BD388, BD389, BD390, BD400, BD401, BD402, BD403, BD404, SS8050, BD411, BD412, BD413, BD414, BD415, BD416, BD417, BD418