Биполярный транзистор BD410 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BD410
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 325 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO126
Аналог (замена) для BD410
BD410 Datasheet (PDF)
bd410.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR BD410TO-126 Plastic PackageECBABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 500 VCollector -Emitter Voltage VCEO 325 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VContinuous Collector Current IC 1.0 APeak Collector Curr
Другие транзисторы... BD388 , BD389 , BD390 , BD400 , BD401 , BD402 , BD403 , BD404 , A1013 , BD411 , BD412 , BD413 , BD414 , BD415 , BD416 , BD417 , BD418 .
History: DTC623TN3 | KSB1151O | ECG2346
History: DTC623TN3 | KSB1151O | ECG2346



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31