BD500A Todos los transistores

 

BD500A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD500A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD500A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:193K  inchange semiconductor
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BD500A

isc Silicon PNP Power Transistors BD500/BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -50V(Min)CEO(SUS)-80V(Min)High Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.2. Size:105K  inchange semiconductor
 bd500-b bd500 b.pdf pdf_icon

BD500A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD500/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -50V(Min) -80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER

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History: 2SC471 | 2SB1349 | BD415 | KTC9011S | GES3569 | 2N5401C | BC337-040

 

 
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