BD500A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD500A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD500A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD500A даташит

 9.1. Size:193K  inchange semiconductor
 bd500 bd500b.pdf pdf_icon

BD500A

isc Silicon PNP Power Transistors BD500/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -50V(Min) CEO(SUS) -80V(Min) High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.2. Size:105K  inchange semiconductor
 bd500-b bd500 b.pdf pdf_icon

BD500A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD500/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -50V(Min) -80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: BD466B, BD467, BD477, BD477A, BD477B, BD487, BD488, BD500, BC557, BD500B, BD501, BD501A, BD501B, BD505, BD505-1, BD505-5, BD506