BD501 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD501
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 55 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD501
BD501 Datasheet (PDF)
bd501 b.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VA
bd501 bd501b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BD501/BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 50V(Min)CEO(SUS)80V(Min)High Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =
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History: 2SA241 | BF275
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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