BD501 Todos los transistores

 

BD501 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD501
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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Principales características: BD501

 ..1. Size:105K  inchange semiconductor
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BD501

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VA

 ..2. Size:191K  inchange semiconductor
 bd501 bd501b.pdf pdf_icon

BD501

isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 50V(Min) CEO(SUS) 80V(Min) High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Otros transistores... BD477 , BD477A , BD477B , BD487 , BD488 , BD500 , BD500A , BD500B , 13009 , BD501A , BD501B , BD505 , BD505-1 , BD505-5 , BD506 , BD506-1 , BD506-5 .

 

 
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