Справочник транзисторов. BD501

 

Биполярный транзистор BD501 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD501
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BD501

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD501 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  inchange semiconductor
 bd501 b.pdf pdf_icon

BD501

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VA

 ..2. Size:191K  inchange semiconductor
 bd501 bd501b.pdf pdf_icon

BD501

isc Silicon NPN Power Transistors BD501/BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 50V(Min)CEO(SUS)80V(Min)High Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие транзисторы... BD477 , BD477A , BD477B , BD487 , BD488 , BD500 , BD500A , BD500B , BC548 , BD501A , BD501B , BD505 , BD505-1 , BD505-5 , BD506 , BD506-1 , BD506-5 .

History: 2SD63 | RN2911FS | MA0461 | 2SD61 | 2SD628H | TN4121 | SD802

 

 
Back to Top

 


 
.