BD509 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD509
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO202
- Selección de transistores por parámetros
BD509 Datasheet (PDF)
Otros transistores... BD506-1 , BD506-5 , BD507 , BD507-1 , BD507-5 , BD508 , BD508-1 , BD508-5 , S8550 , BD509-1 , BD509-5 , BD510 , BD510-1 , BD510-5 , BD515 , BD515-1 , BD515-5 .
History: KT8176V | NSV60601MZ4T3G | MJ15019 | BFQ77 | UMB6N | KTC4347 | HBNP2227S6R
History: KT8176V | NSV60601MZ4T3G | MJ15019 | BFQ77 | UMB6N | KTC4347 | HBNP2227S6R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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