BD546 Todos los transistores

 

BD546 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD546
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO218
 

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BD546 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  inchange semiconductor
 bd546 bd546a bd546b bd546c.pdf pdf_icon

BD546

isc Silicon PNP Power Transistor BD546/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -15ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -40V(Min)- BD546; -60V(Min)- BD546A(BR)CEO-80V(Min)- BD546B; -100V(Min)- BD546CComplement to Type BD545/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose

 0.1. Size:81K  bourns
 bd546-a-b-c.pdf pdf_icon

BD546

BD546, BD546A, BD546B, BD546CPNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGEBD545 Series(TOP VIEW) 85 W at 25C Case TemperatureB1 15 A Continuous Collector CurrentC 2 Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute maximum ratings at 25C case temper

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History: MMUN2113LT3G | MA889

 

 
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