BD550 Todos los transistores

 

BD550 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD550
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 130 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3

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BD550 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  inchange semiconductor
 bd550.pdf

BD550 BD550

isc Silicon NPN Power Transistors BD550DESCRIPTION High Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 110V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as either driver or output unit applicationsin audio amplifier circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

 0.1. Size:182K  inchange semiconductor
 bd550b.pdf

BD550 BD550

isc Silicon NPN Power Transistors BD550BDESCRIPTION High Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as either driver or output unit applicationsin audio amplifier circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

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History: BD436-25 | 2SB1120G | 2SC178

 

 
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