BD550 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD550  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD550 даташит

 ..1. Size:183K  inchange semiconductor
 bd550.pdf pdf_icon

BD550

isc Silicon NPN Power Transistors BD550 DESCRIPTION High Power Dissipation Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 110V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as either driver or output unit applications in audio amplifier circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME

 0.1. Size:182K  inchange semiconductor
 bd550b.pdf pdf_icon

BD550

isc Silicon NPN Power Transistors BD550B DESCRIPTION High Power Dissipation Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as either driver or output unit applications in audio amplifier circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

Другие транзисторы: BD545B, BD545C, BD545D, BD546, BD546A, BD546B, BD546C, BD546D, A940, BD550A, BD550B, BD561, BD562, BD566, BD566A, BD567, BD567A