Справочник транзисторов. BD550

 

Биполярный транзистор BD550 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD550
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BD550

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD550 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  inchange semiconductor
 bd550.pdf pdf_icon

BD550

isc Silicon NPN Power Transistors BD550DESCRIPTION High Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 110V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as either driver or output unit applicationsin audio amplifier circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

 0.1. Size:182K  inchange semiconductor
 bd550b.pdf pdf_icon

BD550

isc Silicon NPN Power Transistors BD550BDESCRIPTION High Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as either driver or output unit applicationsin audio amplifier circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

Другие транзисторы... BD545B , BD545C , BD545D , BD546 , BD546A , BD546B , BD546C , BD546D , B772 , BD550A , BD550B , BD561 , BD562 , BD566 , BD566A , BD567 , BD567A .

History: 2SD2103 | IMT2AFRA

 

 
Back to Top

 


 
.