BD550A Todos los transistores

 

BD550A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD550A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 175 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD550A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:182K  inchange semiconductor
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BD550A

isc Silicon NPN Power Transistors BD550BDESCRIPTION High Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as either driver or output unit applicationsin audio amplifier circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

 9.2. Size:183K  inchange semiconductor
 bd550.pdf pdf_icon

BD550A

isc Silicon NPN Power Transistors BD550DESCRIPTION High Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 110V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as either driver or output unit applicationsin audio amplifier circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

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History: FPA733 | HBA143TS6R | CTP1550 | NB221FJ | BD743C | DMC5610E

 

 
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