BD609 Todos los transistores

 

BD609 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD609
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
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BD609

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD609DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOComplement to Type BD610100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary cir

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History: GS109C | HSD1609 | 2N5410 | HSC1815 | 3CA80G

 

 
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