BD609 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD609

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO220

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BD609 datasheet

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BD609

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD609 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD610 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary cir

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