BD609 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD609  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD609

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD609 даташит

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 bd609.pdf pdf_icon

BD609

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD609 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD610 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary cir

Другие транзисторы: BD599, BD600, BD601, BD602, BD605, BD606, BD607, BD608, BC639, BD610, BD611, BD612, BD613, BD614, BD615, BD616, BD617