BD633 Todos los transistores

 

BD633 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD633
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 185 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD633 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  inchange semiconductor
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BD633

isc Silicon NPN Power Transistor BD633DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = 25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD634Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

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History: FPQ3724

 

 
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