BD633 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BD633
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 185 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO220
BD633 Datasheet (PDF)
bd633.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD633 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = 25mA FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min.) (BR)CEO Complement to Type BD634 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM
Другие транзисторы... BD613 , BD614 , BD615 , BD616 , BD617 , BD618 , BD619 , BD620 , D882P , BD634 , BD635 , BD636 , BD637 , BD638 , BD643 , BD643F , BD644 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147

