BD636 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD636

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 185 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO220

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BD636 datasheet

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BD636

isc Silicon PNP Power Transistor BD636 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -25mA FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min.) (BR)CEO Complement to Type BD635 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

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